A、加強(qiáng)溫度低于Ac3
B、加熱溫度高于AC3
C、保溫時(shí)間過(guò)長(zhǎng)
D、冷卻速度大于VK
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A、是位錯(cuò)馬氏體
B、是孿晶馬氏體
C、是過(guò)飽和的a固溶體
D、具有高的強(qiáng)度
A、珠光體
B、馬氏體
C、回火屈氏體
D、回火索氏體
A、晶內(nèi)偏析
B、纖維組織
C、晶粒粗大
D、網(wǎng)狀滲碳體
A、珠光體
B、鐵素體
C、滲碳體
D、馬氏體
A、從鋼液中析出的
B、從奧氏體中析出的
C、從鐵素中析出的
D、從馬氏體中析出的
最新試題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
下列是晶體的是（）。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；