試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

設(shè)計(jì)一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。