MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？

目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

20世紀(jì)上半葉對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

在晶體材料中，對(duì)于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。