判斷題暴露在高溫的氧氣氛圍中，硅片上能生長(zhǎng)出氧化硅。生長(zhǎng)一詞表示這個(gè)過(guò)程實(shí)際是消耗了硅片上的硅材料。
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最新試題
什么是無(wú)源電阻？什么是有源電阻？舉例說(shuō)明。
題型：?jiǎn)柎痤}
什么是電阻率？它的單位是什么（國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？
題型：?jiǎn)柎痤}
從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？
題型：?jiǎn)柎痤}
MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類(lèi)（）和（）。每種類(lèi)型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。
題型：多項(xiàng)選擇題
MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？
題型：?jiǎn)柎痤}
試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長(zhǎng)。
題型：?jiǎn)柎痤}
集成電路電阻可以通過(guò)（）產(chǎn)生。
題型：多項(xiàng)選擇題
材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類(lèi)（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？
題型：?jiǎn)柎痤}
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}