為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？

版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？

由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

20世紀(jì)上半葉對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。