可用作硅片的研磨材料是（）

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）

下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。