A、當3個試件的測值中有1個且僅有1個極值超過中間值的15%時,取其余2個測值的算術(shù)平均值為強度測定值
B、當3個試件的測值中有1個且僅有1個極值超過中間值的15%時,取中間值為強度測定值
C、當3個試件的測值中2個極值均超過中間值的15%時,取中間值為強度測定值
D、當3個試件的測值中2個極值均超過中間值的15%時,強度試驗結(jié)果無效
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A、已達到規(guī)定的循環(huán)次數(shù)
B、試件的相對動彈性模量下降到60%
C、試件抗壓強度損失率已達到25%
D、試件質(zhì)量損失率已達到5%
A、已達到規(guī)定的循環(huán)次數(shù)
B、試件的相對動彈性模量下降到60%
C、試件抗壓強度損失率已達到25%
D、試件質(zhì)量損失率已達到5%
A、冷凍時間不應(yīng)少于4h
B、融化時間不應(yīng)少于4h
C、冷凍時間不應(yīng)少于8h
D、融化時間不應(yīng)少于8h
A、冷凍結(jié)束后,應(yīng)即加入溫度為(18~20)℃的水,加水時間不應(yīng)超過10min
B、冷凍結(jié)束后,應(yīng)即加入溫度為100℃的熱水,加水時間不應(yīng)超過10min
C、溫控系統(tǒng)應(yīng)確保在30min內(nèi),水溫不低于10℃,且在30min后水溫能保持在(18~20)℃
D、箱內(nèi)水面應(yīng)至少高出試件表面20mm
A、試件架與試件的接觸面積不宜超過試件底面的1/5
B、試件與箱體內(nèi)壁之間應(yīng)至少留有20mm空隙
C、試件架中各試件應(yīng)緊密擺放
D、試件架中各試件之間應(yīng)至少保持30mm空隙
最新試題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。