多項選擇題慢凍法砼抗凍試驗箱內(nèi)試件擺放要求，正確的有（）。
A、試件架與試件的接觸面積不宜超過試件底面的1/5
B、試件與箱體內(nèi)壁之間應至少留有20mm空隙
C、試件架中各試件應緊密擺放
D、試件架中各試件之間應至少保持30mm空隙
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1.多項選擇題慢凍法砼抗凍試驗凍融試驗箱的溫控要求，正確的有（）。
A、冷凍期間箱內(nèi)溫度應能保證在（-20～-18）℃范圍
B、融化期間箱內(nèi)浸泡砼試件的水溫應能保證在（18～20）℃范圍
C、滿載時箱內(nèi)各點溫度極差不應超過2℃
D、滿載時箱內(nèi)各點溫度極差不應超過5℃
2.多項選擇題快凍法砼抗凍試驗試件的形狀，不正確的有（）。
A、立方體
B、棱柱體
C、圓柱體
D、圓球體
3.多項選擇題慢凍法砼抗凍試驗試件的形狀，不正確的有（）。
A、立方體
B、棱柱體
C、圓柱體
D、圓球體
4.多項選擇題快凍法砼抗凍試驗試件的凍融介質(zhì)，不正確的有（）。
A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
5.多項選擇題慢凍法砼抗凍試驗試件的凍融介質(zhì)，不正確的有（）。
A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
最新試題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題