多項選擇題以下關(guān)于200×200×400mm砼棱柱體試件軸心抗壓強度試驗加荷速度的描述符合標準規(guī)定的有（）。

A、＜C30強度等級的砼加荷速度取每秒12.0～20.0kN
B、≥C30且＜C60強度等級的砼加荷速度取每秒20.0～32.0kN
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒32.0～40.0kN
D、C25級砼加荷速度取每秒0.3～0.5MPa


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1.多項選擇題以下關(guān)于砼軸心抗壓強度試驗加荷速度的描述符合標準規(guī)定的有（）。

A、＜C30強度等級的砼加荷速度取每秒0.3～0.5MPa
B、≥C30且＜C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.5～0.8MPa
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.8～1.0MPa
D、A、B、C選項都對

2.多項選擇題對非標準試件砼抗壓強度值尺寸換算系數(shù)正確的有（）。

A、小于C60強度等級的100×100×100mm立方體試件為0.95
B、小于C60強度等級的200×200×200mm立方體試件為1.05
C、小于C60強度等級的Φ100×200圓柱體試件為0.95
D、不小于C60強度等級的砼應(yīng)由試驗確定

4.多項選擇題對砼立方體試件抗壓強度值表述正確的有（）。

A、同組3個試件測值中，最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的15%時，該組試件的試驗結(jié)果無效。
B、不總是能把同組3個試件測值的平均值作為該組試件的抗壓強度值。
C、同組3個試件測值中，若出現(xiàn)最大值或最小值與中間值的差值超過中間值的15%，則該組試件的試驗結(jié)果無效。
D、同組3個試件測值中，最大值或最小值只要有1個且僅有1個與中間值的差值超過中間值的15%，就要把最大值和最小值一并舍除。

5.多項選擇題以下關(guān)于砼立方體試件抗壓強度試驗加荷速度的描述符合標準規(guī)定的有（）。

A、邊長100mm的C40級砼加荷速度取每秒5.0～8.0kN
B、邊長150mm的C70級砼加荷速度取每秒18.0～22.5kN
C、邊長200mm的C20級砼加荷速度取每秒12.0～20.0kN
D、邊長200mm的C40級砼加荷速度取每秒20.0～32.0kN

最新試題

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

題型：單項選擇題

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

題型：單項選擇題

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

題型：單項選擇題

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

題型：單項選擇題

光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。  

題型：單項選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

題型：單項選擇題

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

題型：單項選擇題

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

題型：單項選擇題

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

題型：單項選擇題

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

題型：單項選擇題