A、邊長(zhǎng)100mm的C40級(jí)砼加荷速度取每秒5.0~8.0kN
B、邊長(zhǎng)150mm的C70級(jí)砼加荷速度取每秒18.0~22.5kN
C、邊長(zhǎng)200mm的C20級(jí)砼加荷速度取每秒12.0~20.0kN
D、邊長(zhǎng)200mm的C40級(jí)砼加荷速度取每秒20.0~32.0kN
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、<C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒6.75~11.25kN
B、≥C30且<C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒11.25~18.00kN
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒18.00~22.50kN
A、<C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、強(qiáng)度等級(jí)越高,加荷速度應(yīng)越小
A、試件拆模時(shí)間
B、試件移入標(biāo)準(zhǔn)養(yǎng)護(hù)室時(shí)間
C、拌合物攪拌加水時(shí)間
D、拌合物拌制完成時(shí)間
A、溫度20±2℃、相對(duì)濕度95%以上的恒溫、恒濕環(huán)境
B、室內(nèi)陰涼場(chǎng)所
C、結(jié)構(gòu)或構(gòu)件鄰近區(qū)域砂堆中
D、遮陽的屋檐下
A、溫度20±2℃、相對(duì)濕度95%以上的室內(nèi)
B、溫度20±2℃的不流動(dòng)的Ca(OH)2飽和溶液中
C、溫度20±2℃的清水中
D、溫度20±2℃的不流動(dòng)的醋酸溶液中
最新試題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
PN結(jié)的基本特性是()
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
下列是晶體的是()。
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();