多項選擇題一組砼立方體抗壓試件試驗破壞荷載分別為：412kN、394kN、425kN，該組試件抗壓強度值可能是（）。

A、39.0MPa
B、18.2MPa
C、10.2MPa
D、10.8MPa


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1.多項選擇題對砼立方體試件抗壓強度值表述正確的有（）。

A、同組3個試件測值中，最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的15%時，該組試件的試驗結(jié)果無效。
B、不總是能把同組3個試件測值的平均值作為該組試件的抗壓強度值。
C、同組3個試件測值中，若出現(xiàn)最大值或最小值與中間值的差值超過中間值的15%，則該組試件的試驗結(jié)果無效。
D、同組3個試件測值中，最大值或最小值只要有1個且僅有1個與中間值的差值超過中間值的15%，就要把最大值和最小值一并舍除。

2.多項選擇題以下關(guān)于砼立方體試件抗壓強度試驗加荷速度的描述符合標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的有（）。

A、邊長100mm的C40級砼加荷速度取每秒5.0～8.0kN
B、邊長150mm的C70級砼加荷速度取每秒18.0～22.5kN
C、邊長200mm的C20級砼加荷速度取每秒12.0～20.0kN
D、邊長200mm的C40級砼加荷速度取每秒20.0～32.0kN

3.多項選擇題以下關(guān)于150×150×150mm砼立方體試件抗壓強度試驗加荷速度的描述符合標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的有（）。

A、＜C30強度等級的砼加荷速度取每秒6.75～11.25kN
B、≥C30且＜C60強度等級的砼加荷速度取每秒11.25～18.00kN
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒18.00～22.50kN

4.多項選擇題以下關(guān)于砼抗壓強度試驗加荷速度的描述符合標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的有（）。

A、＜C30強度等級的砼加荷速度取每秒0.3～0.5MPa
B、≥C30且＜C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.5～0.8MPa
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.8～1.0MPa
D、強度等級越高，加荷速度應(yīng)越小

5.多項選擇題不是砼試件標(biāo)準(zhǔn)養(yǎng)護(hù)齡期計時始點的時點有（）。

A、試件拆模時間
B、試件移入標(biāo)準(zhǔn)養(yǎng)護(hù)室時間
C、拌合物攪拌加水時間
D、拌合物拌制完成時間

最新試題

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

題型：單項選擇題

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

題型：單項選擇題

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。  

題型：單項選擇題

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

題型：單項選擇題

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

題型：單項選擇題

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

題型：單項選擇題

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

題型：單項選擇題

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

題型：單項選擇題

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

題型：多項選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

題型：單項選擇題