A、砼拌合物總泌水量和用水量之比
B、砼拌合物單位用水量的泌水量
C、單位重量砼拌合物的泌水數(shù)量
D、單位體積砼拌合物的泌水數(shù)量
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A、應以3個試樣的試驗結果來確定
B、計算應精確至0.01mL
C、總是以3個試樣的測值的算術平均值來表示。
D、若三個試樣測值的極值與中間值之差均超過中間值的15%時,此次試驗無效。
A、一定量砼拌合物的單位面積的泌水數(shù)量
B、試驗過程的累計泌水數(shù)量
C、單位重量砼拌合物的泌水數(shù)量
D、單位體積砼拌合物的泌水數(shù)量
A、試樣筒裝樣搗實后,拌合物表面應低于筒口30±3mm
B、除吸水操作外,應始終蓋好筒蓋
C、為便于吸水,可在筒底一側墊放一片35mm厚的墊塊以使筒體傾斜,并需一直保持到試驗結束,以免造成擾動
D、從計時開始后60min內,每隔10min吸取1次試樣表面滲出的水
A、若三個試樣測值的極值中僅有一個與中間值之差超過中間值的10%,取中間值。
B、若三個試樣測值的極值與中間值之差均超過中間值的10%,本次試驗無效。
C、若三個試樣測值的極值中僅有一個與中間值之差超過中間值的15%,取中間值。
A、線性回歸方法
B、繪圖擬合方法
C、A、B兩種方法均可
D、A、B兩種方法均不可
最新試題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
下列是晶體的是()。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
在通常情況下,GaN呈()型結構。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
PN結的基本特性是()