A、一定量砼拌合物的單位面積的泌水數(shù)量
B、試驗過程的累計泌水數(shù)量
C、單位重量砼拌合物的泌水數(shù)量
D、單位體積砼拌合物的泌水數(shù)量
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A、試樣筒裝樣搗實后,拌合物表面應(yīng)低于筒口30±3mm
B、除吸水操作外,應(yīng)始終蓋好筒蓋
C、為便于吸水,可在筒底一側(cè)墊放一片35mm厚的墊塊以使筒體傾斜,并需一直保持到試驗結(jié)束,以免造成擾動
D、從計時開始后60min內(nèi),每隔10min吸取1次試樣表面滲出的水
A、若三個試樣測值的極值中僅有一個與中間值之差超過中間值的10%,取中間值。
B、若三個試樣測值的極值與中間值之差均超過中間值的10%,本次試驗無效。
C、若三個試樣測值的極值中僅有一個與中間值之差超過中間值的15%,取中間值。
A、線性回歸方法
B、繪圖擬合方法
C、A、B兩種方法均可
D、A、B兩種方法均不可
A、砂漿一次分別裝入三個試驗筒中,做三個試驗
B、采用振動臺振實時,振動應(yīng)持續(xù)到表面出漿為止,不得過振
C、同一試驗,整個貫入過程應(yīng)保持用同一貫入面積的測針
D、以貫入阻力28MPa時不能在試樣表面壓下痕印作為達到砼終凝狀態(tài)
A、砼初凝時間以貫入阻力為3.5MPa時的時間
B、砼初凝時間以貫入阻力為0時的時間
C、砼終凝時間以貫入儀全量程壓力不能貫入到規(guī)定深度的時間
D、砼終凝時間以貫入阻力為28MPa時的時間
最新試題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
下列是晶體的是()。
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()