A、強(qiáng)度等級(jí)相同
B、強(qiáng)度試驗(yàn)齡期相同
C、砼生產(chǎn)工藝條件基本相同
D、砼配合比基本相同
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A、同一工程、同一配比、采用同一批次水泥和外加劑的砼的凝結(jié)時(shí)間應(yīng)至少檢驗(yàn)1次
B、同一工程、同一配比的砼的氯離子含量應(yīng)至少檢驗(yàn)1次
C、同一工程、同一配比、采用同一批次海砂的砼的氯離子含量應(yīng)至少檢驗(yàn)1次
D、砼坍落度的取樣檢驗(yàn)頻率與砼強(qiáng)度檢驗(yàn)相同
A、不同批次或非連續(xù)供應(yīng)的不足一個(gè)檢驗(yàn)批量的砼原材料應(yīng)作為一個(gè)檢驗(yàn)批
B、來源穩(wěn)定且連續(xù)三次檢驗(yàn)合格的砼原材料可將檢驗(yàn)批量擴(kuò)大一倍
C、散裝水泥應(yīng)按每500噸為一個(gè)檢驗(yàn)批
D、同一廠家的同批出廠,用于同時(shí)施工且屬于同一工程項(xiàng)目的多個(gè)單位工程的砼原材料可將檢驗(yàn)批量擴(kuò)大一倍
A、砼強(qiáng)度達(dá)到設(shè)計(jì)強(qiáng)度等級(jí)的50%時(shí),方可撤除養(yǎng)護(hù)措施
B、砼受凍前的強(qiáng)度不得低于5MPa
C、日均氣溫低于5℃時(shí),不得采用澆水自然養(yǎng)護(hù)
D、模板和保溫層應(yīng)在砼冷卻到5℃方可拆除
A、表面與外界溫差不宜大于20℃
B、養(yǎng)護(hù)過程應(yīng)進(jìn)行溫度控制
C、砼內(nèi)部和表面溫差不宜大于25℃
D、大體積砼養(yǎng)護(hù)應(yīng)分為靜停、升溫、恒溫和降溫四個(gè)養(yǎng)護(hù)階段
A、當(dāng)表面與外界溫差不大于20℃時(shí),構(gòu)件方可出池或撤除養(yǎng)護(hù)措施
B、降溫速度不宜超過20℃/h
C、靜停時(shí)間不宜少于24h
D、采用蒸汽養(yǎng)護(hù)時(shí),應(yīng)分為靜停、升溫、恒溫和降溫四個(gè)養(yǎng)護(hù)階段
最新試題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。