單項(xiàng)選擇題擠壓錨的抽檢數(shù)量規(guī)定為（）
A、每批檢查3%，不少于5件
B、每工作班檢查5%，不少于5件
C、每工作班檢查3件
D、每批檢查6件
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1.單項(xiàng)選擇題凸出式錨固端錨具的保護(hù)層厚度一般要求為（）
A、20mm
B、25mm
C、30mm
D、50mm
2.單項(xiàng)選擇題錨固端外露預(yù)應(yīng)力筋的保護(hù)層厚度在腐蝕環(huán)境中不小于（）
A、20mm
B、25mm
C、30mm
D、50mm
3.單項(xiàng)選擇題錨固端外露預(yù)應(yīng)力筋的保護(hù)層厚度在正常環(huán)境中不小于（）
A、20mm
B、25mm
C、30mm
D、50mm
4.單項(xiàng)選擇題夾片式錨具在張拉達(dá)到預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度標(biāo)準(zhǔn)值的多少之前不得出現(xiàn)裂紋（）
A、80%
B、95%
C、98%
D、100%
5.單項(xiàng)選擇題當(dāng)采用錐塞式錨具時(shí)，錨具變形和預(yù)應(yīng)力筋內(nèi)縮值的限值為（）
A、1mm
B、3mm
C、5mm
D、7mm
最新試題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：單項(xiàng)選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項(xiàng)選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項(xiàng)選擇題