單項選擇題錨固端外露預(yù)應(yīng)力筋的保護層厚度在正常環(huán)境中不小于（）
A、20mm
B、25mm
C、30mm
D、50mm
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1.單項選擇題夾片式錨具在張拉達到預(yù)應(yīng)力筋抗拉強度標準值的多少之前不得出現(xiàn)裂紋（）
A、80%
B、95%
C、98%
D、100%
2.單項選擇題當采用錐塞式錨具時，錨具變形和預(yù)應(yīng)力筋內(nèi)縮值的限值為（）
A、1mm
B、3mm
C、5mm
D、7mm
3.單項選擇題采用鋼絲束鐓頭錨具時，錨具變形和預(yù)應(yīng)力筋內(nèi)縮值的限值為（）
A、1mm
B、3mm
C、5mm
D、7mm
4.單項選擇題采用有頂壓的夾片式錨具時，錨具變形和預(yù)應(yīng)力筋內(nèi)縮值的限值為（）
A、1mm
B、3mm
C、5mm
D、7mm
5.單項選擇題用于承受錨具傳來的預(yù)加力并傳遞給混凝土的部件叫（）
A、錨環(huán)
B、夾片
C、錨固節(jié)點
D、錨墊板
最新試題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：單項選擇題