A、60%
B、70%
C、75%
D、80%
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、JYM12-13
B、JYM13-12
C、JYM12.7-12
D、JYM12-12.7
A、L
B、S
C、J
D、M
A、夾片式
B、支承式
C、錐塞式
D、握裹式
A、實(shí)測(cè)極限抗拉強(qiáng)度
B、實(shí)測(cè)極限抗拉強(qiáng)度的80%
C、抗拉強(qiáng)度標(biāo)準(zhǔn)值
D、抗拉強(qiáng)度標(biāo)準(zhǔn)值的80%
A、60分鐘
B、120分鐘
C、240分鐘
D、480分鐘
最新試題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()