A、五個(gè)碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
B、五個(gè)碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
C、五個(gè)對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
D、五個(gè)對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、五個(gè)飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)氣干狀態(tài)的對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
B、五個(gè)飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)氣干狀態(tài)的對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
C、五個(gè)氣干狀態(tài)的對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
D、五個(gè)氣干狀態(tài)的對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
A、1mm/m
B、0.1mm/m
C、0.01mm/m
D、0.001mm/m
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
最新試題
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
硅片拋光在原理上不可分為()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
下列是晶體的是()。