單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中燒結(jié)普通磚用普通制樣法制成的抹面試件應(yīng)置于不低于（）的不通風(fēng)室內(nèi)養(yǎng)護(hù)（）。
A、20℃.3d
B、10℃.3d
C、10℃.1d
D、20℃.1d
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中在燒結(jié)普通磚制樣時(shí)，兩磚樣中間抹以厚度不超過（）的用強(qiáng)度等級32.5的普通硅酸鹽水泥調(diào)制成稠度適宜的水泥凈漿粘結(jié)，上下兩面用厚度不超過（）的同種水泥漿抹平。
A、3mm.5mm
B、3mm.3mm
C、5mm.5mm
D、5mm.3mm
2.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中在燒結(jié)普通磚制樣時(shí)，應(yīng)將切斷的磚樣放入室內(nèi)的凈水中浸（）后，以斷口（）方向疊加制備。
A、10min～20min相反
B、10min～20min相同
C、10min相反
D、20min相同
3.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中在燒結(jié)普通磚制樣時(shí)，應(yīng)將磚樣切斷或鋸成兩個(gè)半截磚，每個(gè)半截磚長不得小于（），如果不足，應(yīng)另取備用磚補(bǔ)足。
A、100mm
B、90mm
C、110mm
D、120mm
4.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)的材料試驗(yàn)機(jī)示值相對誤差不大于（）。
A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%
5.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)的材料試驗(yàn)機(jī)預(yù)期最大破壞荷載應(yīng)在量程的（）之間。
A、10%～80%
B、20%～80%
C、10%～90%
D、20%～90%
最新試題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
題型：單項(xiàng)選擇題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項(xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項(xiàng)選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項(xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項(xiàng)選擇題