MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

規(guī)定版圖幾何設(shè)計規(guī)則的意義是什么？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。