MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。