問(wèn)答題解釋:同質(zhì)外延、異質(zhì)外延。
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1.問(wèn)答題試述晶體外延的意義,列出三種外延方法。
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4.問(wèn)答題試畫出MOS器件跨導(dǎo)與源漏電壓的函數(shù)曲線。
5.問(wèn)答題MOS管的跨導(dǎo)系數(shù)與哪些參數(shù)有關(guān)?
最新試題
晶體管的名字取自于()和()兩詞。
題型:多項(xiàng)選擇題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力,可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施?
題型:?jiǎn)柎痤}
版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}
什么是無(wú)源電阻?什么是有源電阻?舉例說(shuō)明。
題型:?jiǎn)柎痤}
說(shuō)明MOS器件噪聲的來(lái)源、成因及減小方法。
題型:?jiǎn)柎痤}
集成電路電阻可以通過(guò)()產(chǎn)生。
題型:多項(xiàng)選擇題
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。
題型:?jiǎn)柎痤}
BiCMOS技術(shù)就是將()和()的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。
題型:多項(xiàng)選擇題
從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過(guò)()等步驟。
題型:多項(xiàng)選擇題
MOS器件存在哪些二階效應(yīng)?
題型:?jiǎn)柎痤}