問(wèn)答題為什么在相同工藝條件和相同幾何尺寸下NMOS管速度要高于PMOS管？如果相同柵長(zhǎng)的N管和P管要達(dá)到相同的速度，理論上N管和P管要滿足什么條件？
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什么是MOS器件的體效應(yīng)？
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為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？
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從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？
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什么是無(wú)源電阻？什么是有源電阻？舉例說(shuō)明。
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把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過(guò)程，稱作（）。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為（）。
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規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？
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試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。
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題型：多項(xiàng)選擇題
MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。
題型：多項(xiàng)選擇題
由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題