單項選擇題把半導體級硅的多晶硅塊，轉換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。
A.晶體生長、硅錠
B.硅錠、晶體生長
C.晶體生長、晶胞
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1.單項選擇題在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。
A.晶胞
B.晶長
C.晶塊
2.多項選擇題從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。
A.碳加熱
B.生產(chǎn)三氯硅烷
C.西門子反應
3.多項選擇題BiCMOS技術就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結構的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結構的高電流驅動能力。
A.CMOS
B.雙極技術
C.nMOS
4.多項選擇題MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
A.nMOS（n溝道）
B.pMOS（p溝道）
C.mMOS（m溝道）
5.單項選擇題由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。
A.寄生電容
B.共生電容
C.儲存電容
最新試題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。
題型：問答題
什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？
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編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？
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材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。
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MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？
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試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。
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什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。
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利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
題型：問答題
由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品，又被稱為（）。
題型：多項選擇題