圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

目前集成電路版圖設計的主流工具有哪些？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？

什么是MOS器件的體效應？

根據圖，給出M2管的漏極電流表達式。

半導體工藝技術中，器件互連材料通常包括（）等。

從天然硅中獲得達到生產半導體器件所需純度的SGS要經過（）等步驟。

規(guī)定版圖幾何設計規(guī)則的意義是什么？

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

版圖設計的基本前提是什么？