你可能感興趣的試題

外延層與沉底的材料相同。

生長了外延層的襯底硅片。

襯底上新生長的單晶層。

在單晶襯底上按襯底晶向生長一層新的單晶薄膜的工藝技術(shù)。

所有圖形上淀積的薄膜厚度相同；也稱共性覆蓋。

RF激活氣體分子（等離子體），使其在低溫（室溫）下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，淀積成膜。

在27-270Pa壓力下進行化學(xué)氣相淀積。

氣相淀積在1個大氣壓下進行。

一種或數(shù)種物質(zhì)的氣體，以某種方式激活后，在襯底發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，并淀積出所需固體薄膜的生長技術(shù)。

利用帶有電荷的離子在電場中加速后具有一定動能的特點，將離子引向欲被濺射的靶電極。