根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？

MOS器件存在哪些二階效應？

從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

版圖設計的基本前提是什么？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。