由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？

什么是電阻率？它的單位是什么（國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

在晶體材料中，對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。

設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語(yǔ)句并作差模電流-電壓特性分析。