20世紀(jì)上半葉對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

版圖設(shè)計的基本前提是什么？

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。