A.電阻
B.電容
C.二極管
D.三極管
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A.輸入低電平時(shí)，三極管工作在截止區(qū)，輸出為高電平。
B.輸入高電平時(shí)，三極管工作在飽和區(qū)，輸出為低電平。
C.輸入低電平時(shí)，三極管工作在截止區(qū)，輸出為低電平。
D.輸入高電平時(shí)，三極管工作在飽和區(qū)，輸出為高電平。
A.電阻
B.電位器
C.二極管
D.三極管
A.晶體二極管
B.晶體三極管
C.MOS晶體管
D.晶體振蕩器
A.接高于2V的電壓
B.接另一TTL電路的輸出高電平
C.接地
D.懸空
A.接地
B.接低于0.8V的電壓
C.接另一個(gè)TTL電路的輸出
D.懸空
最新試題
DRAM4164有2根片選線（RAS和CAS）、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請(qǐng)判斷它的存儲(chǔ)容量為多少？
試提出數(shù)字頻率計(jì)的三種設(shè)計(jì)方案，比較各種方案的特點(diǎn)。如果用HDPLD來(lái)實(shí)現(xiàn)，設(shè)計(jì)方案是最佳嗎？簡(jiǎn)述理由。
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為（）
一個(gè)16選一的數(shù)據(jù)選擇器，其地址輸入（選擇控制輸入）端有（）個(gè)。
如果把D觸發(fā)器的輸出Q反饋連接到輸入D，則輸出Q的脈沖波形的頻率為CP脈沖頻率f的（）。
根據(jù)什么判斷簡(jiǎn)單電路中的險(xiǎn)象存在？
基本RS觸發(fā)器的輸入直接控制其輸出狀態(tài)，所以它不能被稱為（）觸發(fā)器。
7系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
用1M×4的DRAM芯片通過(guò)（）擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
利用2個(gè)74LS138和1個(gè)非門(mén)，可以擴(kuò)展得到1個(gè)（）線譯碼器。