A.輸入低電平時(shí),三極管工作在截止區(qū),輸出為高電平。
B.輸入高電平時(shí),三極管工作在飽和區(qū),輸出為低電平。
C.輸入低電平時(shí),三極管工作在截止區(qū),輸出為低電平。
D.輸入高電平時(shí),三極管工作在飽和區(qū),輸出為高電平。
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.電阻
B.電位器
C.二極管
D.三極管
A.晶體二極管
B.晶體三極管
C.MOS晶體管
D.晶體振蕩器
A.接高于2V的電壓
B.接另一TTL電路的輸出高電平
C.接地
D.懸空
A.接地
B.接低于0.8V的電壓
C.接另一個(gè)TTL電路的輸出
D.懸空
A.放大區(qū)
B.飽和區(qū)
C.截止區(qū)
D.發(fā)射區(qū)
最新試題
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
利用2個(gè)74LS138和1個(gè)非門,可以擴(kuò)展得到1個(gè)()線譯碼器。
具有“有1出0、全0出1”功能的邏輯門是()
基本RS觸發(fā)器的輸入直接控制其輸出狀態(tài),所以它不能被稱為()觸發(fā)器。
7系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
以下哪個(gè)編碼不能是二-十進(jìn)制譯碼器的輸入編碼()
如果把D觸發(fā)器的輸出Q反饋連接到輸入D,則輸出Q的脈沖波形的頻率為CP脈沖頻率f的()。
TTL與非門輸入短路電流IIS的參數(shù)規(guī)范值是()。
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()
試提出數(shù)字頻率計(jì)的三種設(shè)計(jì)方案,比較各種方案的特點(diǎn)。如果用HDPLD來實(shí)現(xiàn),設(shè)計(jì)方案是最佳嗎?簡述理由。