A.10個CP脈沖，正脈沖寬度為1個CP周期
B.10個CP脈沖，正脈沖寬度為2個CP周期
C.10個CP脈沖，正脈沖寬度為4個CP周期
D.10個CP脈沖，正脈沖寬度為8個CP周期
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A.只能用反饋復(fù)位法清零
B.只能用修改驅(qū)動方程的方法
C.必須用反饋復(fù)位法清零并修改驅(qū)動方程
D.可以采用反饋復(fù)位法（置位法），也可以采用修改驅(qū)動方程的方法保證電路能白行啟動。
A.10
B.20
C.1000
D.1024
A.2
B.128
C.8
D.256
A.8和8
B.6和3
C.6和8
D.3和6
A.與CP和D有關(guān)
B.與CP和D無關(guān)
C.只與CP有關(guān)
D.只與D有關(guān)
最新試題
ROM可以用來存儲程序、表格和大量固定數(shù)據(jù)，但它不可以用來實(shí)現(xiàn)（）。
與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比，權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了（）對轉(zhuǎn)換精度的影響。
10-4線優(yōu)先編碼器允許同時輸入（）路編碼信號。
如要將一個最大幅度為5.1V的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，要求輸入每變化20mV，輸出信號的最低位（LSB）發(fā)生變化，應(yīng)選用（）位ADC。
小容量RAM內(nèi)部存儲矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為（）
判斷如下VHDL的操作是否正確，如不正確，請改正。字符a和b的數(shù)據(jù)類型是BIT，c是INTEGER，執(zhí)行c＜=a+b。
用1M×4的DRAM芯片通過（）擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲器。
TTL與非門輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是（）
具有“有1出0、全0出1”功能的邏輯門是（）
什么是觸發(fā)器的不定狀態(tài)，如何避免不定狀態(tài)的出現(xiàn)？