A、加料—→熔化—→縮頸生長(zhǎng)—→放肩生長(zhǎng)—→等徑生長(zhǎng)—→尾部生長(zhǎng)
B、加料—→熔化—→縮頸生長(zhǎng)—→放肩生長(zhǎng)—→尾部生長(zhǎng)—→等徑生長(zhǎng)
C、加料—→縮頸生長(zhǎng)—→熔化—→放肩生長(zhǎng)—→尾部生長(zhǎng)—→等徑生長(zhǎng)
D、加料—→放肩生長(zhǎng)—→縮頸生長(zhǎng)—→熔化—→尾部生長(zhǎng)—→等徑生長(zhǎng)
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A.調(diào)整晶體生長(zhǎng)的熱系統(tǒng),使熱場(chǎng)的徑向溫度梯度增大
B.調(diào)節(jié)拉晶的運(yùn)行參數(shù),例如對(duì)于凸向熔體的界面加快拉速,增加其凝固速度增加利用結(jié)晶潛熱使界面趨于平坦
C.調(diào)整晶體或者坩堝的轉(zhuǎn)速,調(diào)整高溫液流的增減
D.增大坩堝內(nèi)徑與晶體直徑的比值
A.單晶生長(zhǎng)→整形→切片→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測(cè)→打包
B.單晶生長(zhǎng)→切片→整形→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測(cè)→打包
C.單晶生長(zhǎng)→整形→切片→蝕刻→晶片研磨及磨邊→拋光→硅片檢測(cè)→打包
D.單晶生長(zhǎng)→整形→切片→晶片研磨及磨邊→拋光→蝕刻→硅片檢測(cè)→打包
A.①②④
B.①②③④
C.②③④
D.③④
A.化學(xué)清洗
B.rCA清洗
C.超聲波清洗
A.低,好,多
B.低,好,少
C.低,差,多
D.高,好,多
最新試題
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
PN結(jié)的基本特性是()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
可用作硅片的研磨材料是()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。