鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

下列是晶體的是（）。 

下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）

下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。