單項(xiàng)選擇題淬火和退火同一玻璃的密度相比較，（）
A、前者大于后者
B、相同
C、前者小于后者
D、無法判斷
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1.單項(xiàng)選擇題下列氧化物中，加入過量會使玻璃的料性變短的是（）
A、SiO2
B、CaO
C、MgO
D、Na2O
2.單項(xiàng)選擇題扎哈里阿森（Zachariasen）提出的形成氧化物玻璃的規(guī)則中，氧多面體應(yīng)當(dāng)相互（）
A.共角
B.共棱
C.共面
D.不相聯(lián)
3.單項(xiàng)選擇題能夠單獨(dú)形成玻璃網(wǎng)絡(luò)形成體的單鍵能一般大于（）
A、251kJ/mol
B、235kJ/mol
C、350kJ/mol
D、335kJ/mol
4.單項(xiàng)選擇題玻璃熔制的主要設(shè)備為（）。
A、立波爾窯
B、倒燃窯
C、池窯
D、輥道窯
5.單項(xiàng)選擇題一次風(fēng)占燃燒所需要空氣量的（）。
A、15％－30％
B、20％―50％
C、40％―60％
D、50％―70％
最新試題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項(xiàng)選擇題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項(xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：單項(xiàng)選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項(xiàng)選擇題