單項選擇題扎哈里阿森(Zachariasen)提出的形成氧化物玻璃的規(guī)則中,氧多面體應當相互()
A.共角
B.共棱
C.共面
D.不相聯(lián)
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1.單項選擇題能夠單獨形成玻璃網(wǎng)絡形成體的單鍵能一般大于()
A、251kJ/mol
B、235kJ/mol
C、350kJ/mol
D、335kJ/mol
2.單項選擇題玻璃熔制的主要設備為()。
A、立波爾窯
B、倒燃窯
C、池窯
D、輥道窯
3.單項選擇題一次風占燃燒所需要空氣量的()。
A、15%-30%
B、20%―50%
C、40%―60%
D、50%―70%
4.單項選擇題水泥生料的主要原料不包括()。
A、石灰石
B、煤
C、粘土
D、鐵粉
5.單項選擇題陶瓷的主要原料包括()。
A、粘土
B、高嶺石
C、蒙脫石
D、以上全是
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多晶硅的生產方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:單項選擇題
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只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項選擇題
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質稱為()。
題型:單項選擇題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。
題型:單項選擇題
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
題型:單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:單項選擇題
載流子的擴散運動產生擴散電流,漂移運動產生()電流。
題型:單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項選擇題