用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。

PN結的基本特性是（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）