單項選擇題池窯的工藝制度中不包括()。

A、溫度制度
B、氣氛的影響
C、液面制度
D、配合料


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1.單項選擇題影響耐火材料侵蝕介質的種類沒有下面的哪一種()。

A、氣體
B、配合料
C、玻璃液
D、配合料和玻璃料的揮發(fā)物

2.單項選擇題按照水和物料結合的強弱,物料中的水分可以分為三類,其中不包括()。

A、化學結合水
B、物理化學結合水
C、物理結合水
D、機械結合水

3.單項選擇題壓制法成型有三種加壓方式,其中不包括下面的哪一種()。

A、單面加壓
B、雙面同時加壓
C、雙面先后加壓
D、雙面都不加壓

4.單項選擇題配合料一般制備與加工的工藝為:()

A、烘干—破碎—配料—成型
B、破碎—烘干—配料—成型
C、配料—破碎—烘干—成型
D、成型—烘干—破碎—配料

最新試題

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();

題型:單項選擇題

CZ法的主要流程工藝順序正確的是()

題型:單項選擇題

一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。

題型:單項選擇題

改良西門子法的顯著特點不包括()

題型:單項選擇題

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()

題型:單項選擇題

下列是晶體的是()。 

題型:單項選擇題

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法

題型:單項選擇題

如果雜質既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質稱為()。

題型:單項選擇題

影響單晶內(nèi)雜質數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質的沾污;⑤加入雜質量;

題型:單項選擇題

光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。  

題型:單項選擇題