單項選擇題陶瓷使用的鈣質(zhì)材料一般為（）。
A、石灰石
B、方解石
C、泥灰?guī)r
D、白堊
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1.單項選擇題鈣質(zhì)原料主要提供材料組成所需的（）。
A、CaCO3
B、CaO
C、SiO2
D、Al2O3
2.單項選擇題無機非金屬材料常使用的原料方解石的主要成分是（）。
A、CaCO3
B、CaO
C、SiO2
D、Al2O3
3.單項選擇題在無機非金屬材料的生產(chǎn)過程中，玻璃不需要進行的一個環(huán)節(jié)是（）。
A、粉體制備
B、原料的破碎
C、成型
D、高溫熱處理
4.單項選擇題目前各國的水泥生產(chǎn)均以（）生產(chǎn)技術(shù)作為優(yōu)先發(fā)展對象。
A、干法中空窯
B、立波爾窯
C、窯外分解窯
D、立筒預熱器窯
5.單項選擇題水泥原料經(jīng)烘干、配料、粉碎制成生料粉，然后喂到窯內(nèi)煅燒成熟料的方法稱為（）。
A、濕法
B、干法
C、半干法
D、半濕法
最新試題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：單項選擇題