硅片拋光在原理上不可分為（）

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

改良西門子法的顯著特點不包括（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。  

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）