直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。