多項(xiàng)選擇題砌體工程現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)中,下列哪些方法能檢測(cè)砌體抗壓強(qiáng)度()。

A.原位軸壓法
B、原位單剪法
C、扁頂法
D、雙剪法


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.多項(xiàng)選擇題砌體開裂的主要原因()。

A、基礎(chǔ)不均勻沉降
B、溫度應(yīng)力
C、荷載過(guò)小
D、砌體質(zhì)量問(wèn)題

2.多項(xiàng)選擇題原位軸壓法檢測(cè)試驗(yàn)過(guò)程中,上部墻體的壓應(yīng)力的取用方法()。

A、一般情況下,用理論方法計(jì)算,即計(jì)算至該槽間砌體以上的所有墻體及樓屋蓋荷載標(biāo)準(zhǔn)值
B、樓層上的可變荷載標(biāo)準(zhǔn)值可根據(jù)實(shí)際情況確定,然后換算為壓應(yīng)力值
C、對(duì)于重要的鑒定性試驗(yàn),宜采用實(shí)測(cè)壓應(yīng)力值
D、對(duì)于重要的鑒定性試驗(yàn),宜采用實(shí)測(cè)破壞荷載值

4.多項(xiàng)選擇題原位軸壓法檢測(cè)試驗(yàn)過(guò)程中,試驗(yàn)不應(yīng)僅僅獲取數(shù)據(jù),還要()等破壞形式。

A、觀測(cè)破壞現(xiàn)象
B、防止出現(xiàn)局壓
C、注意測(cè)點(diǎn)位置
D、偏心

5.多項(xiàng)選擇題原位壓力機(jī)由()等組成。

A、手動(dòng)油泵
B、扁式千斤頂
C、百分表
D、反力平衡架

最新試題

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。  

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()

題型:多項(xiàng)選擇題