A、稠度
B、分層度
C、試配抗壓強度
D、泌水
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A、屈服強度
B、極限抗拉強度
C、伸長率
D、冷彎性能
E、抗壓強度
A、塊體與砂漿的強度等級
B、砌塊的尺寸和形狀
C、砌體的外觀
D、砂漿的流動性、保水性及彈性模量的影響
E、砌筑質(zhì)量與灰縫的厚度
A、高強度
B、低收縮
C、慢硬、晚強
D、除變小
A.試件兩端的灰縫應(yīng)清理干凈
B.開鑿清理過程中,嚴(yán)禁擾動試件
C.發(fā)現(xiàn)被推磚塊有明顯缺棱掉角或上、下灰縫有松動現(xiàn)象時,應(yīng)舍去該試件
D.被推磚的承壓面應(yīng)平整,不平時應(yīng)用扁砂輪等工具磨平
A.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
B.后補的施工洞口和經(jīng)修補的砌體
C.獨立磚柱
D.完整墻體中部
最新試題
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
可用作硅片的研磨材料是()
PN結(jié)的基本特性是()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()