單項選擇題燒結空心磚每（）塊為一驗收批，小砌塊每1萬塊為一驗收批，不足上述數(shù)量時按一批計，抽檢數(shù)量為一組。
A.10萬
B.8萬
C.6萬
D.3萬
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1.單項選擇題填充墻砌體砌筑，應待承重主體結構檢驗批驗收合格后進行。填充墻與承重主體結構間的空隙部位施工，應在填充墻砌筑（）后進行。
A.7d
B.14d
C.28d
D.36d
2.單項選擇題配筋砌體工程中網(wǎng)狀配筋砌體的受力鋼筋保護層厚度允許偏差為（）。
A.±20mm
B.±15mm
C.±10mm
D.±5mm
3.單項選擇題配筋砌體中受力鋼筋的連接方式及錨固長度、搭接長度應符合設計要求。每檢驗批抽查不應少于（）處。
A.3處
B.5處
C.6處
D.10處
4.單項選擇題配筋砌體工程中構造柱與墻體的連接，墻體應砌成馬牙槎，馬牙槎凹凸尺寸不宜小于60mm，高度不應超過（）。
A.200mm
B.250mm
C.300mm
D.350mm
5.單項選擇題構造柱、芯柱、組合砌體構件、配筋砌體剪力墻構件的混凝土及砂漿的強度等級應符合設計要求，每個檢驗批砌體，試塊不應少于1組，驗收批砌體試塊不得少于（）。
A.1組
B.2組
C.3組
D.4組
最新試題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結構。
題型：單項選擇題
PN結的基本特性是（）
題型：單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題