單項(xiàng)選擇題填充墻砌體砌筑，應(yīng)待承重主體結(jié)構(gòu)檢驗(yàn)批驗(yàn)收合格后進(jìn)行。填充墻與承重主體結(jié)構(gòu)間的空隙部位施工，應(yīng)在填充墻砌筑（）后進(jìn)行。
A.7d
B.14d
C.28d
D.36d
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1.單項(xiàng)選擇題配筋砌體工程中網(wǎng)狀配筋砌體的受力鋼筋保護(hù)層厚度允許偏差為（）。
A.±20mm
B.±15mm
C.±10mm
D.±5mm
2.單項(xiàng)選擇題配筋砌體中受力鋼筋的連接方式及錨固長(zhǎng)度、搭接長(zhǎng)度應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求。每檢驗(yàn)批抽查不應(yīng)少于（）處。
A.3處
B.5處
C.6處
D.10處
3.單項(xiàng)選擇題配筋砌體工程中構(gòu)造柱與墻體的連接，墻體應(yīng)砌成馬牙槎，馬牙槎凹凸尺寸不宜小于60mm，高度不應(yīng)超過（）。
A.200mm
B.250mm
C.300mm
D.350mm
4.單項(xiàng)選擇題構(gòu)造柱、芯柱、組合砌體構(gòu)件、配筋砌體剪力墻構(gòu)件的混凝土及砂漿的強(qiáng)度等級(jí)應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求，每個(gè)檢驗(yàn)批砌體，試塊不應(yīng)少于1組，驗(yàn)收批砌體試塊不得少于（）。
A.1組
B.2組
C.3組
D.4組
5.單項(xiàng)選擇題毛石墻和磚墻相接的轉(zhuǎn)角處和交接處應(yīng)同時(shí)砌筑。轉(zhuǎn)角處、交接處應(yīng)自縱墻每個(gè)4-6皮磚高度引出不小于（）與橫墻相接。
A.120mm
B.120mm
C.140mm
D.160mm
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題