A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
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A.使用手持應(yīng)變儀或千分表在腳標(biāo)上測量砌體變形的初讀數(shù)時，應(yīng)測量3次，并應(yīng)取其平均值
B.槽的四周應(yīng)清理平整，并應(yīng)除去灰渣
C.不用待讀數(shù)穩(wěn)定后再進行下一步測試工作
D.開槽時不應(yīng)操作測點部位的墻體及變形測量腳標(biāo)
A.5皮磚
B.4皮磚
C.3皮磚
D.2皮磚
A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±4%
A.0.5m
B.1.0m
C.1.5m
D.2.0m
A.門、窗洞口側(cè)邊100mm范圍內(nèi)
B.門、窗洞口側(cè)邊110mm范圍內(nèi)
C.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
D.門、窗洞口側(cè)邊130mm
最新試題
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
下列是晶體的是（）。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
可用作硅片的研磨材料是（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法