A.M2.5
B.M5.0
C.M7.5
D.M10
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A.30%
B.50%
C.60%
D.80%
A.每級荷載可取預(yù)估破壞荷載的10%
B.應(yīng)在1min~1.5mim內(nèi)均勻加完,然后恒載2min
C.加荷至預(yù)估破壞荷載的80%后,應(yīng)按原定加荷速度連續(xù)加荷,直至槽間砌體破壞
D.加荷至預(yù)估破壞荷載的90%后,應(yīng)按原定加荷速度連續(xù)加荷,直至槽間砌體破壞
A.4
B.5
C.6
D.7
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
最新試題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
下列哪個不是單晶常用的晶向()
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
PN結(jié)的基本特性是()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
下列是晶體的是()。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()