把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

下列是晶體的是（）。 

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）