鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

PN結(jié)的基本特性是（）