下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）